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规划介绍

氮化硅中氟、氯的测定

电子级的氮化硅薄膜是通过化学气相沉淀或者等离子体加强化学气相沉淀技术造作,而氮化硅中阴离子杂质尤其是卤素会对有关接触部件造成严沉侵蚀,所以对氮化硅中阴离子杂质的正确测定拥有沉要意思 。

分析柱:SH-G-1+SH-AC-11

流动相:12 mM KOH(EG)

流速:1.0 mL/min

柱温:35℃

抑造器:SHY-A-6

进样体积:25 μL

前处置:称取适量样品(正确纪录质量,精确到 0.0001 g)于样品舟中,经点火离子色谱进样分析 。同时做样品舟空烧对照组分析 。

色谱丈量数据

1.png

氮化硅中氟、氯的谱图

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