蚀刻液中阴离子的测定
在集成电路造作过程中，常必要在晶圆上界说出极轻微尺寸的图案，这些图案重要的形成方式是藉由蚀刻技术，将微影后产生的光阻图案忠诚的转印至光阻下的材质上，以形成集成电路的复杂架构。因而蚀刻技术在半导体造作过程中占有极沉要的职位。蚀刻技术粗略可分为湿式蚀刻和干式蚀刻两种技术。湿式蚀刻是利用特定的化学溶液将待蚀尖刻膜未被光阻覆盖的部门分化，并转成可溶于此溶液的化合物后加以排除，从而达到蚀刻的主张。大部门的蚀刻过程蕴含一个或多个化学反映，常见的是先将待蚀刻层表表予以氧化，再将此氧化层溶化，如此反复达到蚀刻的成效，因而蚀刻液大多由一种或多种酸溶液混合而成。离子色谱可检测蚀刻液中的酸根离子，亦可检测经蚀刻后的电路板上酸根的残留量。
色谱前提
分析柱：SH-AG-1+SH-AC-11
流动相：13 mM KOH（EG）
流速：1.0 mL/min
柱温：35℃
抑造器：SHY-A-6
进样体积：25 μL
前处置：样品稀释适当倍数过 Na 柱和 0.22 μm 滤膜，进样分析。
蚀刻液中阴离子谱图
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